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电容-电压特性测试是半导体工艺监控的常规手段，一条曲线里藏着氧化层厚度、掺杂浓度与界面态密度。本文从 MOS 电容的形状讲起，说明高频与低频曲线的差别、参数怎么反推，以及测试条件为什么必须固定。

接插件、触点、线束这类毫欧级小电阻，用普通万用表测往往越测越糊涂。本文说明为什么必须用四线制、测试电流该怎么定、温度与热电势怎样影响读数，并给出一份可直接抄进作业指导书的测量清单。

电机、变压器、电感的绕组内部缺陷，用万用表与耐压仪常查不出来，脉冲式线圈测试仪却能在一次冲击中给出判断。它测的不是电阻，而是冲击电压下的衰减振荡波形。本文说明它能查出哪些缺陷、判据怎么读。

同一只电容，换台仪器、改个频率，读数就可能差出一截。多数情况并非电容不合格，而是测量条件变了。本文拆解测试电平、频率、等效模式、夹具与直流偏置对电容读数的影响，并给出一份可复现的测量清单。

接地电阻测的并不是同一个量：设备内部的保护接地通路、接地体到大地之间的电阻、以及整条回路的电阻，方法不同、判据也不同。本文梳理三种常见测法、标准大致怎么要求，以及现场最容易犯的几个错误。

电感与变压器在电路里长期流过直流电流，磁芯处在偏置状态，小信号下测出的电感量往往明显偏大。本文说明直流偏置电流源提供的是什么、怎么接进测试回路、偏置电流定多少合适，以及最常踩的坑。